Bài báo này trình bày những tiến bộ gần đây trong các phương pháp tổng hợp thanh nano ZnO cấu trúc đơn tinh thể và những tính chất quang độc nhất
của chúng. Sự phát triển của thanh nano ZnO được thực hiện trong hệ ngưng tụ và
vận chuyển hơi hóa học (CVTC). Chúng tôi đã điều khiển được các quá trình phát
triển của thanh nano (vị trí, định hướng, đường kính và mật độ) dựa trên những
cơ sở của cơ chế phát triển thanh nano hơi-lỏng-rắn (VLS). Việc kiểm
tra phát xạ theo năng lượng và khảo sát hiệu ứng laser trên các thanh nano ZnO được
thực hiện với ngưỡng kích thích (~40kwcm
). Những chiếc nano laser
bước sóng ngắn hoạt động tại nhiệt độ phòng với mật độ diện tích trên bề mặt đế
là 10
. Việc khảo sát các hiệu ứng laser trên sự sắp
xếp của các thanh nano cho thấy các thanh nano đơn tinh thể, định hướng tốt có
thể hoạt động như các buồng cộng hưởng quang độc lập. Các kết quả được kiểm tra
bằng kính hiển vi quang quét trường gần (NSOM).
Vật liệu nano 1 chiều hiện đang rất được quan tâm do tầm
quan trọng của chúng trong các nghiên cứu khoa học cơ bản và các tiềm năng ứng
dụng công nghệ. Ngoài các ống nano cacbon, các cấu trúc nano 1 chiều như sợi
nano hay sợi lượng tử là các hệ lý tưởng cho việc khảo sát sự ảnh hưởng của kích
thước và số chiều lên độ linh động của điện tử và các tính chất quang, cơ. Chúng
được mong đợi là sẽ đóng vai trò quan trọng trong các liên kết và thành phần cấu
tạo của các linh kiện điện tử, quang điện tử kích thước nano. Những tính chất đặc
trưng và đáng mê hoặc của các loại vật liệu này đã được dự đoán hay đã được chứng
minh như độ bền cơ học cao, hiệu suất phát quang cao, tăng hệ số
chất lượng nhiệt điện, và giảm ngưỡng tạo tia laser. Trước đây, các sợi nano với
các cấu trúc khác nhau được nghiên cứu bằng nhiều phương pháp như
phương pháp chuyển pha hơi, lắng đọng hơi hóa học, phóng điện hồ quang, khắc
laser, phương pháp dung dịch và phương pháp đổ khuôn. Hầu hết các phương pháp đều
tập trung vào các hệ bán dẫn như Si, Ge, GaN,GaAs và chỉ gần đây cấu trúc nano
oxit 1 chiều mới được khảo sát như là cấu trúc nano cơ sở đầy hứa hẹn do các
tính chất thú vị, cấu trúc đa dạng, khả năng tự làm sạch bề mặt và độ bền hóa/nhiệt.
Ngoài ra, mối quan tâm trong việc phát triển laser bán dẫn bước
sóng ngắn đạt đỉnh điểm với việc chế tạo laser diod lục lam tại nhiệt
độ phòng với ZnSe và InxGa1-xN làm lớp hoạt động. ZnO là
bán dẫn có độ rộng vùng cấm rộng (3.37eV), với tính chất này các hiệu ứng laser
có thể xuất hiện trong các hệ hạt phân tán hay màng mỏng. Với các loại bán dẫn có độ rộng
vùng cấm lớn, cần phải có một nồng độ hạt tải lớn để đạt độ khuếch đại quang đủ
lớn cho các hiệu ứng laser trong quá trình plasma e-lỗ trống (EHP). Một cơ chế
EHP như thế thường đòi hỏi một ngưỡng hoạt động laser cao. Để thay thế cho EHP,
tái hợp exciton trong bán dẫn là một quá trình bức xạ năng suất cao hơn và có
thể tạo điều kiện cho các bức xạ kích thích ở ngưỡng thấp. Để đạt được hiệu ứng
laser exciton hiệu suất cao tại nhiệt độ phòng, năng lượng liên kết exciton phải lớn hơn năng lượng phát xạ nhiệt tại nhiệt độ phòng
(26 meV). Về mặt này ZnO là một ứng cử viên sáng giá cho các hiệu ứng laser UV
tại nhiệt độ phòng vì năng lượng liên kết exciton của nó xấp xỉ 60 meV, lớn hơn
nhiều ZnSe (22meV) và GaN (25meV).
Cấu trúc nano cũng được mong đợi cho các hiệu ứng laser ngưỡng
thấp trong tương lai do các hiệu ứng lượng tử sẽ tạo ra các trạng thái tại biên
của dãi năng lượng và làm tăng bức xạ tái hợp do hiệu ứng giam giữ hạt tải. Việc
sử dụng bán dẫn cấu trúc lượng tử như môi trường cộng hưởng quang ngưỡng thấp
cho thấy sự tiến bộ đáng kể trong công nghệ laser bán dẫn. Bức xạ ánh sáng từ
các sợi nano bán dẫn đã được công bố với các hệ GaAs và GaP. Bức xạ kích thích
và cộng hưởng quang cũng được chứng minh gần đây với các cụm nano Si và CdSe cũng như
các tập hợp của chúng. Nổi bậc trong số này, các sợi nano ZnO được xem như là hệ
thú vị để kiểm tra và xác minh những tính chất quang của chúng như hàm của kích
thước và chiều.
Gần đây chúng tôi đã phát triển một qui trình ngưng tụ và
chuyển vận hơi hóa học đơn giản (CVTC) để tổng hợp các sợi nano ZnO bằng cơ chế
hơi-lỏng-rắn (VLS). Để khai thác triệt để các tính chất quang thú vị của các sợi
nano này, chúng tôi đã tiến hành một vài điều khiển cấu trúc quan trọng, gọi là
điều khiển định hướng, vị trí và kích thước. Trong bài báo này, chúng tôi cung
cấp những tính toán đầy đủ của qui trình chuyển vận hơi đơn giản tiến hành tại
phòng thí nghiệm của chúng tôi để tổng hợp các sợi nano ZnO và những đặc tính cấu
trúc đặc trưng của chúng. Phát triển ưu tiên theo hướng <001>, những sợi
nano bán dẫn vùng cấm lớn này tạo thành một buồng cộng hưởng laser tự nhiên với
đường kính vào khoảng 20 – 150nm và chiều dài lên tới 40μm. Dưới điều kiện
exciton quang, hiệu ứng laser bức xạ bề mặt quan sát được ở vùng tử ngoại gần
có bước sóng 385nm, chiều rộng vạch phát xạ <0.3nm. Phổ phát xạ theo năng lượng
cho thấy ngưỡng khoảng ~40kwcm-2, thấp hơn nhiều so với giá trị cho
bởi màng mỏng và tinh thể ZnO (~300 kwcm-2). Những laser nano bước
sóng ngắn này có vô số ứng dụng, bao gồm máy tính quang, lưu trữ thông tin và
phân tích nano.
Sơ đồ miêu tả hệ thống CVTC được mô tả trong hình 1.
Đơn tinh thể Silic và saphia với định hướng khác nhau được sử
dụng làm đế cho ZnO phát triển. Đế được phủ lớp màng mỏng Au bằng phương pháp bốc
bay nhiệt sử dụng bộ điều khiển độ dày bằng tinh thể thạch anh để đảm bảo bề
dày lớp Au. Bột ZnO và graphit được trộn với lượng bằng nhau và được vận chuyển
bằng thuyền nhôm. Đế được phủ Au đặt cách thuyền 5 -10 cm được đặt vào một ống thạch anh
nhỏ. Ống thạch anh này sau đó được đưa vào
trong một ống đốt bằng thạch anh khác, vị trí thuyền nhôm ở giữa của lò đốt và
đế được đặt tại hạ lưu của dòng khí Ar. Nhiệt độ được nâng lên 800 – 1000 độ C
với tốc độ 50 – 100 độ C một phút và giữ nhiệt trong 5 – 30 phút với dòng Ar
không đổi (20 – 25 sccm). Khi nhiệt độ được hạ xuống nhiệt độ phòng, có thể thấy
các lớp vật liệu sáng tối trên bề mặt đế. Để phát triển sợi nano ZnO trên đám
nano Au, keo Au được phân tán trên bề mặt đế bằng phương pháp phủ quay.
Mặt dù cơ chế phát triển tinh thể VLS đã được sử dụng rộng
rãi cho các sợi nano bán dẫn, nhưng việc phát triển sợi nano oxit bằng cơ chế
VLS lại phức tạp hơn do sự có mặt của oxy. Trong nghiên cứu này chúng tôi giảm
lượng bột ZnO bằng cách trộn với C để tạo hơi Zn và CO/CO2 tại nhiệt độ cao. Hơi
Zn được vận chuyển và phản ứng với dung dịch Au trên đế tại hạ lưu khi nhiệt độ
thấp hơn và tạo thành các giọt hợp kim (hình 2).
Khi các hạt quá bão hòa, sợi tinh thể nano ZnO được hình thành
do phản ứng giữa Zn và CO/CO2 tại vùng nhiệt độ thấp. Sự có mặt của lượng nhỏ
khí CO/CO2 không ảnh hưởng nhiều đến pha Au-Zn, nó có tác dụng như nguồn oxy cho
việc phát triển sợi nano ZnO. Các thí nghiệm điều chỉnh không thêm graphite vào
vật liệu ban đầu không tạo ra bất cứ gì trên lớp Au, điều đó chứng tỏ tầm quan
trọng của việc trộn cacbon vào ZnO để tạo Zn.
Hình 3 là hình ảnh SEM của sợi nano ZnO phát triển trên đế
Silic.
Đường kính các sợi vào khoảng 20 -120 nm, chiều dài khoảng 5
-20μm. Hình ảnh phổ nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy cấu trúc tinh thể của sợi
nano ZnO. Tất cả các mẫu đều cho phổ XRD giống nhau, cho thấy độ kết tinh cao
của sợi nano. Hình 4 cho thấy phổ XRD của các sợi nano ZnO này. Peak nhiễu xạ
cho biết cấu trúc lục lăng với hằng số mạng a=3.24 Angtrong và c=5.19 Angtrong.
Những đặc tính cấu trúc khác được rút ra từ ảnh TEM. Hình 5a
là ảnh TEM của sợi nano với đầu hợp kim. Sự có mặt của đầu hợp kim là minh chứng
rõ ràng cho cơ chế phát triển VLS. Hình 5b là hình ảnh TEM độ phân giải cao của
một sợi nano ZnO. Khoảng cách 2.56 ± 0.05 Angtrong giữa hai mặt mạng liền kề
tương ứng với khoảng cách giữa hai mặt mạng (0002), chứng tỏ chiều <0001>
là hướng phát triển ưu tiên của sợi nano ZnO.
3. Điều khiển sự phát
triển của sợi nano ZnO
3.1. Điều khiển hình
thái
Việc điều khiển hình thái phát triển rất quan trọng cho các
mục đích ứng dụng của sợi nano. Bằng cách sử dụng kĩ thuật phát triển tinh thể
epitaxi thông thường cho cơ chế VLS (VLSE), ta có thể đạt được hình thái chính xác
trong quá trình phát triển tinh thể. Cơ chế VLSE rất hiệu quả trong việc điều
khiển quá trình tổng hợp dãy sắp xếp các sợi nano.
Sợi nano thông thường có những hướng phát triển ưu tiên. Ví
dụ như sợi nano Si ưu tiên phát triển theo hướng <111>, trong khi sợi
nano ZnO có hướng phát triển ưu tiên là <001> . Muốn phát triển các
sợi nano xếp theo hàng thì việc chọn lựa đế và điều khiển các điều kiện phản ứng là cần thiết để
các sợi nano phát triển epitaxy trên đế. Ví dụ, saphia là một đế lí tưởng với hằng
số mạng a=4.75 Angtrong và c=12.94
Angtrong. Bề mặt a của saphia bao gồm lớp nguyên tử oxy đối xứng bậc 6 và Al đối
xứng bậc 3, trong khi đó với cấu trúc wurtzite
của ZnO, cả O và Zn đều đối xứng bậc 6 theo trục c của ZnO. Do trục c của
ZnO và trục a của saphia có tỉ lệ gần như chính xác với hệ số 4 (sai lệch nhỏ
hơn 0.08% tại nhiệt độ phòng), nên sợi nano ZnO có thể phát triển epitaxy từ mặt
(110) của saphia (hình 6a). Hình 6b cho thấy sự phát triển của các sợi nano ZnO trên
mặt a (110) của đế saphia. Đường kính của chúng vào khoảng 40 – 120 nm và chiều
dài trong khoảng 2 – 10μm. Chúng phát triển epitaxy dọc lên từ đế. Dạng lục
lăng của cấu trúc tại đầu sợi có thể thấy trong hình 6c. Dạng phát triển sắp xếp
các sợi nano này cũng có thể đạt được khi sử dụng đế MgO(111).
3.2. Điều khiển vị trí
phát triển
Rõ ràng là từ cơ chế phát triển sợi nano VLS thì vị trí của
các sợi nano có thể được điều khiển bởi vị trí của đám Au hay màng mỏng Au. Có
nhiều kĩ thuật in bản như in bản mềm, in bản chùm e và quang khắc được sử dụng
để tạo lớp màng mỏng Au dùng làm đế nền cho sự phát triển các sợi nano bán dẫn.
Quan sát ảnh SEM (hình 8) ta có thể thấy các sợi nano ZnO chất lượng cao
phát triển từ lớp màng mỏng Au lục lăng. Các sợi phát triển tuân theo dạng lục
lăng của lớp Au với độ chính xác cao. Nhiều sợi vắt ngang các khối lục giác kim
loại bên cạnh và tạo thành mạng lưới phức tạp. Hình 8b cho thấy ảnh SEM của mẫu
đó với độ phóng đại cao hơn để cho ảnh chi tiết hơn. Các sợi tại biên có đường
kính khoảng 50 – 200nm, và chiều dài có thể hơn 50μm.
Hình 9 là ảnh SEM của sợi nano ZnO phát triển trên bề mặt của
các đường và khối Au hình vuông trên đế saphia mặt mạng a. Sự phát triển sợi
nano epitaxy có chọn lọc có thể được quan sát thấy. Rõ ràng là các sợi nano chỉ
phát triển dọc theo vùng có phủ Au và tạo thành hàng sợi nano ZnO.
Thêm vào quá trình điều khiển vị trí phát triển, ta có thể
điều khiển mật độ các sợi nano bằng cách thay đổi độ dày màng mỏng hoặc dùng đám Au. Bằng cách phân tán lượng/ mật độ khác nhau của đám Au
trên đế saphia, ta có thể tạo ra dãy các sợi nano với mật độ khác nhau (hình
10). Chẳng hạn chúng ta có thể tổng hợp các hàng sợi nano với mật độ trải dài từ
10^6 – 10^10 cm-2.
3.3. Điều khiển đường
kính
Để điều khiển đường kính của sợi nano ZnO, đế được phủ Au với
các độ dày khác nhau. Ý tưởng này dựa trên mối quan hệ trực tiếp giữa kích thước
của các hạt keo đường kính của sợi nano tạo thành. Giọt Au càng nhỏ, được hình
thành trong suốt phản ứng dưới quá trình nung nhiệt, sẽ tạo ra các sợi càng mảnh.
Khi độ dày của lớp màng mỏng Au được giảm xuống, chiều dài của sợi cũng giảm
theo. Chẳng hạn đường kính trung bình của các sợi nano ZnO phát triển trên đế
saphia mặt mạng a tại 900 độ C trong 5 phút lần lượt là 88, 110 và 150nm ứng với
bề dày của lớp Au là 0.5, 1 và 3nm. Đường kính nhỏ nhất của sợi nano ZnO có thể
tạo được khi dùng lớp Au là vào khoảng 40nm.
Ngoài ra ta còn có thể sử dụng các đám Au phân bố đồng đều dạng dung dịch để điều khiển đường kính các sợi nano. Các đám nano Au được
phân tán trên đế Si hay trên màng silica mao quản trung bình để làm giảm sự kết
tập hạt có thể xảy ra. Chẳng hạn đường kính trung bình của các sợi nano ZnO lần
lượt là 35, 46 và 54nm tương ứng với
kích thước các đám Au là 5, 10 và 15nm. So sánh với kết quả sử dụng màng mỏng,
đám Au tạo ra các sợi với đường kính nhỏ hơn nhiều, cỡ 20nm. Điều này được cho
là do, khi màng mỏng Au tan chảy ở nhiệt độ cao tạo thành các giọt Au, sẽ có một
nhiệt động lực giới hạn bán kính tối thiểu của đám kim loại lỏng tại nhiệt độ
cao, Rmin = 2σLVVL/RTlns
trong đó σLV là
Năng lượng tự do bề mặt lỏng-hơi, VLlà thể tích phân tử chất lỏng, và s là trạng
thái quá bão hòa pha hơi.
3.4.
Điều khiển hình thái học
Các nghiên cứu gần đây cho thấy bằng việc sử dụng các nguồn
hơi khác nhau có thể tạo ra các dạng siêu cấu trúc của sợi nano. Ví dụ như khi
bột Zn được dùng làm nguồn hơi, có thể tạo được cấu trúc răng lược từ các sợi
nano ZnO (hình 11)
Các sợi nano này có đường kính đồng đều và phân bố đều theo
một bên thân. Dạng siêu cấu trúc khác như sợi nano hình nêm hay bốn chân có thể
được tạo thành với các điều kiện bay hơi khác nhau. Các siêu cấu trúc khác nhau
này đều có những tính chất vật lý thú vị và có những tính chất quang đặc trưng.
4. Sự phát quang và
tính chất laser
Phổ phát quang của các sợi nano với đường kính khác nhau được
đo bằng máy phát quang sử dụng laser He-Cd (325nm) làm nguồn kích thích. Hình
12 cho thấy phổ phát quang tại nhiệt độ phòng của sợi nano với đường kính trung
bình 100, 50 và 25nm. Sự phát quang mạnh tại bước sóng ~380nm quan sát được ở tất
cả các mẫu. Ngoài ra ta có thể thấy cường độ phát quang xanh ở bước sóng 520nm
tăng lên khi kích thước sợi nano giảm xuống.
Trong khi bức xạ UV tương ứng với bức xạ tại gần biên, thì
peak bức xạ xanh thường liên quan tới bức xạ các mức thấp hay các trạng thái bẫy.
Chuyển dịch xanh được cho là do các nút khuyết oxy trong ZnO và bức xạ là kết
quả của sự tái hợp của lỗ trống quang sinh với một điện tử tại nút khuyết oxy.
Quá trình tăng bức xạ xanh và bức xạ UV khi đường kính sợi giảm đó là do số nút
khuyết oxy tăng lên khi sợi nano nhỏ dần. Chúng tôi tin rằng hệ số S/V tăng khi
giảm kích thước sợi sẽ làm tăng số nút khuyết oxy trên bề mặt trong môi trường
khử.
Để khảo sát các bức xạ kích thích khả dĩ từ các
sợi nano có định hướng, chúng tôi tiến hành kiểm tra các bức xạ theo năng lượng.
Mẫu được kích thích bởi điểm điều hòa thứ tư của laser Nd:YAG (266nm, độ rộng
xung 3ns) tại nhiệt độ phòng. Chùm kích thích được chiếu với góc tới 10 độ so với
trục đối xứng của sợi nano. Bức xạ ánh sáng được thu ở đầu sợi nano (dọc theo
trục đối xứng) như trong hình 13a. Điều đáng chú ý là với bất kì sự mất đi của
ánh sáng phản xạ nào chúng tôi đều quan sát được các hiệu ứng laser trên những
sợi nano ZnO này.
Hình 13b cho thấy sự gia tăng của phổ bức xạ khi chúng tôi
giảm năng lượng kích thích. Với cường độ kích thích thấp, trong phổ có một peak
bức xạ tự phát rộng (hình 13b, bên dưới) với độ bán rộng (FWHM) xấp xỉ 17nm. Bức
xạ tự phát này nằm dưới vùng cấm (3.37ev) là 140meV và thường được cho là do sự
tái hợp exciton qua quá trình va chạm giữa exciton và exciton khi đó một trong
các exciton sẽ tái hợp và bức xạ một photon. Khi năng lượng kích thích tăng lên,
peak bức xạ hẹp lại nguyên nhân là do tần số khuếch đại ưu tiên gần tới giá trị
cực đại của phổ khuếch đại. Khi cường độ kích thích vượt ngưỡng (~40kwcm-2), xuất
hiện các peak sắc nét trong phổ bức xạ. (hình 13b, hình trên). Độ rộng các vạch
phổ này nhỏ hơn 0.3nm, nhỏ hơn 50 lần các peak bức xạ tự phát dưới ngưỡng. Khi trên
giá trị ngưỡng cường độ bức xạ được hợp nhất tăng nhanh theo năng lượng kích
thích. Vạch phổ hẹp và sự tăng nhanh của cường độ bức xạ cho thấy bức xạ kích
thích xảy ra trong các sợi nano này. Các peak hẹp đơn hay đa ứng với các mode cộng
hưởng khác nhau quan sát được tại các bước sóng trong khoảng 370 và 400nm. Chú
ý là ngưỡng cộng hưởng này khá nhỏ so với các giá trị ngưỡng ở trường hợp cộng
hưởng ngẫu nhiên trong các hạt riêng lẻ hay màng mỏng.
Sự thật là chúng ta quan sát các hiệu ứng laser trong các
dãy sợi nano mà không có bất kì phản xạ nào khiến chúng ta xem các sợi nano đơn
tinh thể định hướng tốt này như là các buồng cộng hưởng tự nhiên. (hình 14).
Chúng ta hoàn toàn có thể tạo ra một máy tạo dao động khổng
lồ được tạo bởi các sợi nano tinh thể chất lượng cao kích thước lớn hơn bán
kính Bohr, nhưng nhỏ hơn bước sóng quang, có thể tạo bức xạ kích thích trên những
dãy sợi nano này. Với bán dẫn II-VI, sai hỏng biên được dùng như là các mặt phản
xạ. Với sợi nano của chúng tôi, một cái có mặt là tiếp xúc epitaxy giữa saphia
và ZnO một cái có mặt là mặt nhọn (0001) của tinh thể nano ZnO. Cả hai đều là
những mặt cộng hưởng laser tốt với chiết suất của saphia, ZnO và không khí lần
lượt là 1.8, 2.45 và 1. Loại buồng cộng hưởng/ống dẫn sóng tự nhiên này gợi ý
cho một cách tiếp cận hóa học đơn giản để chế tạo buồng cộng hưởng laser sợi
nano mà không cần đến quá trình phân lớp hay ăn mòn. Trong thực tế khi các mode
laser bội được quan sát trên các sợi nano này, các mode cách nhau khoảng 6nm với
các sợi dài 5μm. Điều này phù hợp một cách định lượng với các tính toán khoảng
cách giữa các tần số cộng hưởng kế cận νf=c/2nl, trong đó νf
là khoảng mode bức xạ, c là vận tốc ánh sáng, n là chiết suất và l là chiều dài
buồng cộng hưởng.
Các thí nghiệm về hoạt động laser của các sợi nano tách biệt
được thực hiện nhằm hợp thức hóa các mô hình đề xuất, bởi vì một vài tranh luận
cho rằng hoạt động laser có thể xuất phát từ khuếch đại bức xạ kích thích dựa
trên các tán xạ ngẫu nhiên. Hình 10 là hình ảnh SEM của các sợi nano ZnO tách
biệt sử dụng trong đề tài. Khoảng cách trung bình của các sợi này vào khoảng
2-3μm, do đó hầu như không thể khuếch đại các bức xạ kích thích bởi tán xạ
trong các dãy sợi nano phân tán riêng lẻ như thế. Hình 15 cho thấy phổ hiệu ứng laser của các sợi
nano riêng lẻ này, nó tương tự như là của dãy sợi đặc kín. Điều này chứng tỏ là
hiệu ứng laser xuất phát từ các thanh nano riêng lẻ chứ không phải do các tán xạ
trong dãy sợi nano đặc kín.
Ngoài ra thử nghiệm hiệu ứng laser của các sợi nano đơn bằng
kính hiển vi quang quét trường gần (NSOM) cũng đã chứng minh cơ chế laser. Để
có ảnh NSOM các sợi nano được lấy ra khỏi đế saphia bằng sóng âm và phân tán
vào đế thạch anh bằng cách nhỏ vào hỗn hợp sợi nano-ethanol. Sợi nano được kích
thích với xung ngắn (<300fs) có năng lượng 4.35ev (285nm) để tạo hiệu ứng
laser và phát quang (PL) (hình 16).
Các bức xạ của sợi nano được thu lại trong một bộ cảm biến
quang sợi được ăn mòn hóa học được giữ cố định bằng các điện tử hồi tiếp của
NSOM. Hình 17 cho thấy các bức xạ không gian thu được của sợi nano ZnO rộng
70nm với vùng phổ trải dài 400nm.
Bức xạ PL mạnh có thể thấy rõ ở cuối sợi nano, trong khi mặt
bên của sợi có bức xạ rất yếu. Peak tương đối hẹp quan sát được là do bức xạ
phát từ cuối sợi nano. Bức xạ của sợi nano theo năng lượng cho thấy một ngưỡng
gần với cường độ kích thích xấp xỉ 120kwcm-2 (dùng xung laser dưới 1 phần triệu
giây). Ngưỡng này lớn hơn ngưỡng của sợi khối mặc dù với chiều dài như nhau.
Các laser nano đơn lẻ phân tán trên đế thạch anh cho ngưỡng cao hơn so với trên
đế phát triển, có thể là do các sai hỏng tại mặt cuối xuất hiện trong quá trình
chuẩn bị mẫu. Việc kết hợp các sợi nano cũng có thể góp phần vào việc làm giảm
ngưỡng laser của dãy sợi nano.
Ngoài ra, kết quả đo thời gian sống chỉ ra rằng tái hợp tạo bức xạ của
exciton tương ứng với quá trình nhanh và chậm lần lượt là khoảng 70ps và 350ps.
Thời gian phát quang được xác định bởi nồng độ các sai hỏng, nơi bẫy điện tử
hay lỗ trống và là nguyên nhân tạo ra các tái hợp không bức xạ. Mặc dù căn
nguyên của việc giảm phát quang không hoàn toàn là do nguyên nhân này, nhưng với
tinh thể có chất lượng cao cho thấy thời gian sống dài hơn. Nó cũng giải thích
cho trường hợp ngưỡng laser thấp của sợi.
5. Thảo luận và hướng
phát triển
Tóm lại, chúng tôi đã tổng hợp thành công sợi nano ZnO bằng
cơ chế phát triển VLS sử dụng Au làm dung môi. Điều chỉnh định hướng của sợi
nano đạt được bằng cách phát triển epitaxy sợi trên đế saphia. Bằng cách điều
chỉnh hình dạng màng mỏng Au, chúng tôi đã thành công trong việc sắp xếp các sợi
nano ZnO theo hàng. Sợi nano ZnO với kích thước và mật độ khác nhau phát triển
theo sự thay đổi độ dày màng Au hay kích thước đám Au.
Phát quang ở nhiệt độ phòng của các sợi nano cho thấy các bức
xạ gần biên vùng và các bức xạ mức sâu. Bức xạ mức sâu được tăng cường với các
sợi nano mỏng hơn được khảo sát và cho là do diện tích bề mặt lớn hơn. Ngoài ra
xuất hiện hiệu ứng laser tử ngoại tại nhiệt độ phòngở ngưỡng 40kwcm-2 của các sợi
nano ZnO được định hướng tốt. Sợi nano định hướng tốt, đơn tinh thể, phát triển
theo hướng <0001> tạo thành các buồng cộng hưởng khuếch đại laser tự
nhiên. Hiệu ứng laser đề xuất được kiểm tra bằng cách thử nghiệm hiệu ứng laser
điều chỉnh trên các sợi nano ZnO riêng lẻ và thử nghiệm hiệu ứng laser sợi nano
đơn bằng NSOM.
Có thể khẳng định khái niệm dùng các sợi nano tách rời như
các buồng cộng hưởng tự nhiên, có thể được ứng dụng cho rất nhiều hệ bán dẫn
khác như GaN và CdSe. Kết quả của chúng tôi bao gồm hệ sợi nano ZnO đưa ra gợi
ý tính khả thi cho các laser phát xạ bề mặt kích thước nano hoạt động ở bước
sóng tử ngoại hay các bước sóng khác khi thay thế bằng vật liệu khác. Ngoài ra
bằng cách tạo các nối p-n trên các sợi nano riêng lẻ, có thể kiểm tra khả năng
tạo laser phát điện tử UV/xanh lam. Các laser nano thu nhỏ này có thể được ứng
dụng trong quang tử nano hay vi phân tích.